厚膜磁石を活用したMEMSデバイスの総合的研究

2019 年度 審査結果の所見

• 研究課題/領域番号: 19H00738
• 研究種目: 基盤研究(A)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 中区分18:材料力学、生産工学、設計工学およびその関連分野
• 研究機関: 東京工業大学
• 研究代表者: 進士 忠彦 東京工業大学, 科学技術創成研究院, 教授 (60272720)
• 研究分担者: 中野 正基 長崎大学, 工学研究科, 教授 (20274623) ; 韓 冬 東京工業大学, 科学技術創成研究院, 特任助教 (50825263)
• 研究期間 (年度): 2019-04-01 – 2024-03-31

審査結果の所見の概要

本研究は、スマートフォンカメラ用マイクロアクチュエータ、IoTや体内植え込みデバイス用エナジーハーベスターをターゲットに、厚膜磁石を活用したMEMSデバイスの設計、磁石成膜・加工・着磁、製造技術を総合的に検討するものである。
小型アクチュエータなどに必要な高性能膜状ネオジム磁石の製造技術を開発しようとする研究であり、工業的に意義が高いと評価できる。パルスレーザ堆積法による製造技術とレーザーアシスト加熱及び磁気転写による微細着磁法による成形法のアイデアが独創的である。