研究課題
基盤研究(A)
本研究は、二次元層状物質を用いて二次元－二次元ヘテロ界面をトンネル電界効果トランジスタ（トンネルFET）に適応することで、トンネル距離を層間距離にまで低減してトンネルFETのオン電流向上を目指すものである。本研究では、提案者が取り組んできた二次元層状物質の原子レベルで急峻かつ電気的に不活性な界面をトンネルFETに適応するものであり、学術的な新規性と独創性が高い。トンネルFETのオン電流向上はIoTデバイスの低消費電力化にも繋がるため、研究の波及効果も大きい。
