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2019 年度 審査結果の所見

準ミリ波帯で動作する窒化物半導体トランジスタ増幅器の高耐圧・高出力化に関する研究

研究課題

研究課題/領域番号 19H00761
研究種目

基盤研究(A)

配分区分補助金
応募区分一般
審査区分 中区分21:電気電子工学およびその関連分野
研究機関関西学院大学 (2020-2021)
福井大学 (2019)

研究代表者

葛原 正明  関西学院大学, 工学部, 教授 (20377469)

研究分担者 ASUBAR JOEL  福井大学, 学術研究院工学系部門, 准教授 (10574220)
分島 彰男  名古屋工業大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 (80588575)
只友 一行  山口大学, その他部局等, 名誉教授 (10379927)
研究期間 (年度) 2019-04-01 – 2022-03-31
審査結果の所見の概要

電波漏洩なく比較的近距離での電力伝送を可能とするスマート無線電力伝送(ワイヤレス給電)を実現するためのキーデバイスの開発を目的とした研究である。これを実現するため、準ミリ波帯(24GHz)で出力10W以上の高出力増幅機能を持つ高耐圧ワンチップGaN-HEMTの開発を計画している。
本研究により、準ミリ波帯で無線電力伝送を実現が可能となり、電力利得6dB以上で出力電力10W以上の性能を有するワンチップの高出力GaNトランジスタの開発が期待できる。これが実現すれば、数10m以下の短距離を電波漏洩なく、例えばドローン等への連続無線給電やIoTセンサデバイスへの無線給電が可能となる。

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公開日: 2019-06-25  

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