界面反応制御を基軸とした高効率高信頼性GaN半導体MOSデバイスの創成

2019 年度 審査結果の所見

• 研究課題/領域番号: 19H00767
• 研究種目: 基盤研究(A)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 中区分21:電気電子工学およびその関連分野
• 研究機関: 大阪大学
• 研究代表者: 渡部 平司 大阪大学, 大学院工学研究科, 教授 (90379115)
• 研究期間 (年度): 2019-04-01 – 2023-03-31

審査結果の所見の概要

窒化ガリウムの高い絶縁破壊強度に着目したパワー半導体の研究であり、ヘテロ界面の物性制御の機構と欠陥起源解明の研究である。さらにその成果をもとに、窒化ガリウムによる高効率高信頼性のMOSデバイスを創成しようとする研究である。
窒化ガリウムのヘテロ界面欠陥の物理的起源を解き明かそうとする提案は挑戦的であり、学術的な意義は大きい。研究目的、計画は明確であり、明確な役割分担による研究組織が組まれており、着実な成果が期待できる。