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2019 年度 審査結果の所見

金属酸化物スピン軌道エレクトロニクス

研究課題

研究課題/領域番号 19H00864
研究種目

基盤研究(A)

配分区分補助金
応募区分一般
審査区分 中区分29:応用物理物性およびその関連分野
研究機関慶應義塾大学

研究代表者

安藤 和也  慶應義塾大学, 理工学部(矢上), 准教授 (30579610)

研究分担者 史 蹟  東京工業大学, 物質理工学院, 教授 (70293123)
望月 維人  早稲田大学, 理工学術院, 教授 (80450419)
研究期間 (年度) 2019-04-01 – 2022-03-31
審査結果の所見の概要

これまで独立に研究が進められてきた電子スピン流物理と酸化物エレクトロニクスの先端的知見を統合し、金属・半導体・絶縁体に跨がるスピン伝導科学の新領域「スピン軌道エレクトロニクス」を創出する。研究代表者らが近年見出した、金属の酸化により発現するスピン軌道物性の顕在化と絶縁体スピン流源を発展させ、既存デバイス原理の延長線上にはない、究極の省エネルギー界面スピン軌道エレクトロニクスの物理基盤を構築する。
研究代表者による動的スピン流生成などの先導的研究や、それに留まらない金属酸化という普遍性の高い手法によって電流-スピン変換効率を劇的に向上させた成果に基づいており、これまでトポロジカル絶縁体以外では存在しなかった絶縁体での体系的なスピン流物理の構築が期待できる。

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公開日: 2019-06-25  

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