集積度の飛躍的な向上を目指した有機負性抵抗トランジスタの開発

2019 年度 審査結果の所見

• 研究課題/領域番号: 19H00866
• 研究種目: 基盤研究(A)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 中区分29:応用物理物性およびその関連分野
• 研究機関: 国立研究開発法人物質・材料研究機構
• 研究代表者: 若山 裕 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点, 副拠点長 (00354332)
• 研究分担者: 森山 悟士 東京電機大学, 工学部, 准教授 (00415324) ; 早川 竜馬 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点, 主任研究員 (90469768) ; 赤池 幸紀 国立研究開発法人産業技術総合研究所, 材料・化学領域, 主任研究員 (90581695)
• 研究期間 (年度): 2019-04-01 – 2022-03-31

審査結果の所見の概要

研究代表者が行った有機半導体での負性抵抗の発見を基に、有機半導体の集積度を向上させる。３値演算の実証に裏付けられた次世代多値論理演算デバイスを実現することで、次世代IoT素子に資するフレキシブル有機エレクトロニクス分野を発展させる。
研究代表者らは有機半導体の研究を系統的に進め、pnヘテロ界面を中心にした独自のトランジスタで画期的な負性抵抗現象を発見した。この現象を基に集積化への道筋をつけることで、Siデバイスの概念の延長ではない、革新的なフレキシブルデバイスの創製が期待できる。