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本研究では、InAsのような半導体ナノワイアと、単層のものが2次元トポロジカル絶縁体として知られているWTe2を用いて1次元ジョセフソン接合の形成を目的とした。この場合、正常金属領域には、トリビアルな場合にはアンドレーエフ束縛状態、トポロジカル転移を起こすとマヨラナ束縛状態が形成されることが予想されている。ジョセフソン接合を含む超伝導体ループとマイクロ波回路共振器を別々の基板に作製してそれらを張り付ける汎用性の高いフリップチップ法を開発し、実際にナノワイア試料でアンドレーエフ束縛状態を計測した。WTe2においては、多層および単層のものを利用してジョセフソン接合デバイスの作製に成功した。
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