ビット化けを許容することで飛躍的な省エネ化を実現する計算機メモリシステムの研究

2019 年度 審査結果の所見

• 研究課題/領域番号: 19H01108
• 研究種目: 基盤研究(A)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 中区分60:情報科学、情報工学およびその関連分野
• 研究機関: 国立研究開発法人産業技術総合研究所
• 研究代表者: 広渕 崇宏 国立研究開発法人産業技術総合研究所, 情報・人間工学領域, 研究チーム長 (20462864)
• 研究分担者: 高野 了成 国立研究開発法人産業技術総合研究所, 情報・人間工学領域, 主任研究員 (10509516) ; 今村 裕志 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 研究チーム長 (30323091) ; 荒井 礼子 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員 (50431755)
• 研究期間 (年度): 2019-04-01 – 2023-03-31

審査結果の所見の概要

低消費電力であるが信頼性が低い電圧駆動型磁気メモリ（MRAM）を用いて大幅な省エネ化を実現するための計算機アーキテクチャ、およびシステムソフトウェアの研究開発を目的とし、CPUキャッシュとメインメモリの消費電力を大幅に削減することを目指している。実際のアプリケーションを通して有効性を示すことも視野に入れている。
不揮発性メモリに関わる研究や、メモリデバイス単体としてみたときの性能モデルやエラー対策の研究開発は多いが、逆にエラーを許容してでも強力に低消費電力化を推し進めようというアイデアは独創的であり、低消費電力化が迫られる現代においては必要性が高い。また、エラーを許容する計算機アーキテクチャやシステムソフトウェアの研究開発は学術的価値も高い。