| 研究課題/領域番号 |
19H01108
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
中区分60:情報科学、情報工学およびその関連分野
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| 研究機関 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
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研究代表者 |
広渕 崇宏 国立研究開発法人産業技術総合研究所, 情報・人間工学領域, 研究チーム長 (20462864)
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| 研究分担者 |
高野 了成 国立研究開発法人産業技術総合研究所, 情報・人間工学領域, 主任研究員 (10509516)
今村 裕志 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 研究チーム長 (30323091)
荒井 礼子 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員 (50431755)
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| 研究期間 (年度) |
2019-04-01 – 2023-03-31
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| キーワード | Error Permissive / 不揮発性メモリ / 磁気メモリ / MRAM / 計算機アーキテクチャ / システムソフトウェア / Approximate Computing / シミュレーション |
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| 研究成果の概要 |
非常に低消費電力ながら信頼性が低いメモリデバイスを計算機に適用するため、電圧駆動磁気メモリ（MRAM）素子の理論モデルから計算機アーキテクチャおよびシステムソフトウェアまで階層横断的に研究を行った。メモリ素子エラーの理論モデルを統合した階層横断的な計算機メモリシミュレータを開発して、計算機におけるエラーの振る舞いをメモリ素子レベルからハードウェアレベルおよびソフトウェアレベルに至るまで横断的に分析し、ビット化けを許容する計算機システムの構成手法を明らかにした。
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| 自由記述の分野 |
計算機システム
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
非常に低消費電力ながら信頼性が低いメモリデバイスを計算機に適用する手法を明らかにすることで、信頼性が高いメモリデバイスを前提としてきた既存の計算機技術では達成し得ない抜本的な計算機の省エネ化を実現することが可能になる。本研究において電圧駆動磁気メモリ（MRAM）を題材として計算機の構成手法を議論することで、将来の低消費電力計算機の実現に向けて端緒を開くことができた。
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