|
強磁性トポロジカル絶縁体(CrxSb1-x)2Te3について高分解能ARPESによりフェルミ面の明確なCrドープ依存性を見出し、状態密度を見積もった結果、強磁性機構の主要因はRKKY機構であると結論した。さらに、表面ディラック電子状態についてキュリー温度の前後の明確な変化を観測し、その変化はEFより上で100 meV程度の大きな磁性ギャップによるものと結論した。また、NdBiにおいて、磁気ドメイン分割したARPES実験に成功し、反強磁性相の表面ディラック電子状態がドメインに依存してギャップを形成する様子を観測し、この物質が反強磁性トポロジカル絶縁体であること実験的に確立した。
|
