今後の研究の推進方策 |
当初予定では、地殻中に1000 ppm以上の高い濃度で存在する高存在度元素(Na, K, Mg, Ca, Si, O, P, S, F, Al, Ti, Fe, Mn, Ba, Sr)に焦点を当てて研究を行ったが、半導体の性質を示す材料が少なく、350 ppmまで閾値を低下させた。今後は、元素の存在比を100 ppmまで低下させ、より広範な元素について材料探索を行う。さらに、機械学習の教師データの蓄積に際し、現在は第一原理計算の計算時間が、最終的なボトルネックとなっている。今後は、より低い計算コストで、適度に正確なバンドギャップを計算できる方法について検討し、計算効率の大幅な向上に努める。さらに、AIについては、少ないデータでもある程度の精度が確保できる計算手法を検討する。
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