| 研究課題/領域番号 |
19H02184
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
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| 研究機関 | 北海道大学 |
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研究代表者 |
冨岡 克広 北海道大学, 情報科学研究院, 准教授 (60519411)
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| 研究分担者 |
池辺 将之 北海道大学, 量子集積エレクトロニクス研究センター, 教授 (20374613)
本久 順一 北海道大学, 情報科学研究院, 教授 (60212263)
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| 研究期間 (年度) |
2019-04-01 – 2022-03-31
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| キーワード | ナノワイヤ / トランジスタ / トンネルFET / FET / III-V |
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| 研究成果の概要 |
本研究は，研究代表者が独自に確立したナノワイヤ異種集積技術を更に発展・探究するだけでなく，III-V 族化合物半導体ナノワイヤ材料からなる高速・低消費電力/ 高効率 3 Ｄ回路の基盤技術を創出し，新しい三次元(3D) 立体回路を実現するトランジスタ集積技術を確立し，既存の平面集積パラダイムを革新し，次世代エレクトロニクスの新たな潮流を創出する．本研究では，新しい Si/III-V ナノワイヤ接合とトンネル輸送原理で，ナノワットで駆動する超高効率新型トランジスタを創出した．これらの成果から，ナノワイヤ TFET による立体回路構造の新たな設計指針が得られた．
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| 自由記述の分野 |
薄膜成長、半導体デバイス、半導体ナノ構造
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
本研究成果によって、超低消費電力で動作するスイッチ素子の作製と集積技術が確立された。爆発的な情報端末・車載エレクトロニクスの普及，人口増加でエネルギー消費量は今後，指数関数的に増加することが予想される次世代エレクトロニクスにおいて、抜本的な省エネルギー化を新しいスイッチ素子、集積方法で実現できるようになる。
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