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半導体の中で最も重要な材料であるシリコンにおいて，電荷とは異なる性質を有するスピンを操作する演算素子の創成を目指した研究です．具体的には(A)スピン寿命の外部制御とスピン流論理演算応用，(B)電圧駆動スピン蓄積の実現，(C) スピン軌道相互作用やトポロジカル表面状態の活用のテーマに取り組みました．（A）では1素子で論理演算を切り替え可能なスピンロジック回路を室温実現しました．（B)ではバリスティック伝導を目指して，Siチャネルの短チャネル化を行い，巨大なスピン信号の検出に成功しました．（C）ではドーパントによるスピン軌道相互作用の増大や，界面ラシュバを用いた電界によるスピン操作に成功しました，
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