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薄膜太陽電池の光吸収層として用いるために元来ｎ型伝導を示す窒化銅について、大面積形成可能な薄膜製造法の開発とp型ドーパントの探索を行った。
１．酸素分子の負電荷吸着によってキャリア極性反転や見かけ上の電子濃度変化を防ぐため、簡便に表面吸着を抑制し、正確なキャリア濃度を評価する方法を提案した。
２．MBE法による高品質なエピタキシャル薄膜で実証された高い移動度を示す窒化銅について、大面積に形成可能なスパッタ法とポストアニールを組み合わせて、高移動度のｎ型多結晶薄膜を作製し、既報の電子移動度より1桁高い値が得られた。
３．製造工程の観点からp型ドーパントとして知られたフッ素がガラス基板と容易に反応し制御できないため、等電荷ドーパントを使ったp型ドーパントを考案し、正孔濃度の制御が可能になった。
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