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本研究では、種類が豊富で多彩な物性を示す遷移金属カルコゲナイドに注目し、これを原子層数層レベルにまで薄くした際に初めて発現する2次元物性の開拓に取り組んだ。特に、半導体や酸化物の分野で確立された技術である分子線エピタキシー（MBE）法を利用したlayer-by-layer成長に取り組み、劈開が困難な物質や薄膜準安定相などを含む様々な2次元物質のエピタキシャル成長と、その2次元極限における電子物性を解明することに成功した。また、2次元超伝導体と2次元強磁性体を積層させた磁性ファンデルワールス超構造のMBE成長に成功し、その界面において、単一物質では得られない特異な電子状態を実現した。
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