| 研究課題/領域番号 |
19H02615
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
小区分30010:結晶工学関連
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| 研究機関 | 京都大学 |
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研究代表者 |
石井 良太 京都大学, 工学研究科, 助教 (60737047)
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| 研究期間 (年度) |
2019-04-01 – 2022-03-31
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| キーワード | フォトルミネッセンス / エレクトロルミネッセンス / 窒化物半導体 / ダイヤモンド / 励起子 / 深紫外分光 / 近接場分光 / 極限環境下分光 |
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| 研究成果の概要 |
本研究により，室温以上の高温下では貫通転位は青色LEDの非輻射再結合中心として働くこと，ナノ多結晶ダイヤモンドからの深紫外バンド端発光の観測，AlGaN系深紫外LEDの内部量子効率・電流注入効率・光取り出し効率の実験的切り分け，100 nmより良い空間分解能を持つ深紫外近接場光学顕微鏡の開発，n型窒化アルミニウムの束縛励起子物性解明などといった成果が得られ，超ワイドギャップ半導体励起子の光物性に関する理解が進むとともに，その評価技術である極限環境下深紫外時空間分解分光法を深化することができた．
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| 自由記述の分野 |
半導体光物性
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
波長200 nmから300 nmの深紫外光は，浄水やウイルスの不活化，ラベルフリー生体イメージング，および半導体微細加工技術などに大変有用である．超ワイドギャップ半導体は深紫外光源の1つとして注目されているが，現状超ワイドギャップ半導体を用いた深紫外光源の性能は低く留まっている．そこで本研究では，未だ成熟していない深紫外分光の深化とともに，深紫外分光を用いた超ワイドギャップ半導体の光物性解明に取り組み，深紫外光源の高性能化に繋がる超ワイドギャップ半導体の基礎光物性を明らかにすることに成功した．
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