| 研究課題/領域番号 |
19H02619
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
小区分30010:結晶工学関連
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| 研究機関 | 慶應義塾大学 (2020-2021)
国立研究開発法人産業技術総合研究所 (2019) |
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研究代表者 |
Fons Paul 慶應義塾大学, 理工学部(矢上), 教授 (90357880)
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| 研究分担者 |
牧野 孝太郎 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員 (30727764)
長谷 宗明 筑波大学, 数理物質系, 教授 (40354211)
齊藤 雄太 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員 (50738052)
須藤 祐司 東北大学, 工学研究科, 教授 (80375196)
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| 研究期間 (年度) |
2019-04-01 – 2022-03-31
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| キーワード | 層状カルコゲナイド / テルライド / 遷移金属ダイカルコゲナイド / スパッタリング法 / 結晶化 |
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| 研究成果の概要 |
本研究では、層状カルコゲナイドにおける構造的な特徴に着目し、三次元的な結合を有するアモルファスからの結合の次元が変化する結晶化メカニズムの解明や、レーザー照射による超高速ダイナミクスの測定、そして、高い配向性を持った層状カルコゲナイド薄膜の成膜技術の開発などを行なった。面内方向と面直方向で高い構造の異方性を有することから、結晶化や超高速現象に特異的な振る舞いが観察された。これらを駆使することで、高い配向性を持った様々な層状結晶カルコゲナイド薄膜の作製に成功した。
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| 自由記述の分野 |
材料科学
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
本研究によって、多数の層状カルコゲナイドのアモルファス薄膜の結晶化現象について知見を得ることができた。構造解析や超高速ダイナミクス、高配向成膜といったいくつかの方向性をもって研究を進めてきたが、どの研究についてもその分野における重要な国際誌にて誌上発表することができた。今後物理的な限界を迎えることになるSiエレクトロニクスにおいて、層状物質は究極の微細化を実現できるポテンシャルを秘めており、高い期待が持たれている。本研究で得られた結晶化現象や薄膜形成技術に関する様々な知見は、次世代電子デバイスの実現に大きな貢献をすると考えられる。
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