研究課題
基盤研究(B)
普及型その場陽電子消滅法の開発において，水素添加しながら測定可能な装置を開発することにより，純鉄中の水素誘起欠陥が空孔-水素複合体であることを実証し，水素脆化はその局所高密度化であることが重要であることを示唆した。また，分オーダーでの測定可能な装置を活用することで，純Niでは，NiではFeと異なり水素添加のみで空孔が形成すること，水素脱離による空孔クラスターへの経時変化との関係を明らかにした。さらにNiの水素脆化においても空孔-水素複合体の形成が関与していることが示唆された。
分析化学
本研究では，水素添加しながら，あるいは延伸しながらその状態で陽電子消滅消滅が可能となり，材料の格子欠陥を調べることが可能となった。従来はそれらが空孔クラスターに成長した状態でしか観察できなかったが，これにより，不安定であった水素誘起欠陥を検出することに成功した。また，分オーダーでの陽電子消滅測定により，分オーダーで変化する空孔成長過程を直接観察することができた。これらは，従来知見を根底から覆すものであり，画期的である。今後，不安定な欠陥計測に開発装置は大きく寄与していくことが期待される。
