| 研究実績の概要 |
本年度は，オンチップ広帯域周波数もつれ光子対源の実現に向けて，窒化シリコンリング共振器と高屈折率コントラストドープガラスリング共振器の2つのデバイスを用いて研究を行ってきた．窒化シリコンリング共振器に関する研究では，3つの異なる窒化シリコン層成膜方法(減圧CVD，プラズマCVD，液体ソースCVD)を用いてリング共振器を作製し，作製したリング共振器の分散を測定し比較することで，窒化シリコン成膜プロセスの最適化を行った．さらに，赤外分光測定装置を用いることで，波長1500nmから1530nm付近において，Si-H,N-H結合による吸収の存在を確認した．今後は更なるデバイス作製精度の向上を行っていく予定である．さらに，新たなデバイス作製を設計し，LIGENTEC社にデバイス作製を依頼した．作製されたデバイスを測定した結果，およそ100nmの帯域での光子対発生を確認した．この結果は，申請時の計画を1年前倒しする結果である．また，高屈折率コントラストドープガラスを用いた研究では，リング共振器の透過スペクトルから，光子対の発生帯域を計算し，実験結果との比較を行った．その結果，測定結果と計算結果がよく一致していることを確認した．本研究は現在論文投稿中である．また．発生光子対の周波数相関を確認する方法として，マイケルソン干渉計を用いた方法を考案し，実験的に確かめた．その結果，周波数相関の有無に応じて，得られた干渉信号周期が異なることを確認することに成功した．
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