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2020 年度 実績報告書

SiC MOS界面準位の低減および新チャネル構造MOSFETの動作実証

研究課題

研究課題/領域番号 19J23422
研究機関京都大学

研究代表者

立木 馨大  京都大学, 工学研究科, 特別研究員(DC1)

研究期間 (年度) 2019-04-25 – 2022-03-31
キーワードSiC
研究実績の概要

これまで、SiC MOS界面準位を低減するために様々な手法が報告されてきたが、現在は一酸化窒素雰囲気における高温熱処理がSiC MOS高密度界面準位低減の標準手法として広く用いられている。しかし、得られているチャネル移動度は非常に低く、SiC MOSFETの更なる性能向上のために、移動度の向上は不可欠である。

前年度の研究では、熱酸化で形成したSiC/SiO2界面に対して、窒素(N2)雰囲気下での高温熱処により、界面準位の低減を目指した。しかし、あるていど界面準位は低減するものの、大幅な低減は実現されなかった。

本年度では、SiCの熱酸化によるSiO2の形成が、高いMOS界面準位密度の起源になっていると仮説を立て、徹底的にSiCの酸化を排除した、SiC/SiO2構造の形成を目指した。その過程で、①水素エッチングによるSiC表面処理、②SiCを酸化させないSiO2の形成、③窒化処理の3つが、低い界面準位を得る重要なポイントであることを発見した。本プロセスを用いて作製したMOS構造の界面準位密度は、従来手法で作製した場合と比較して大幅に低い(1/5程度)という結果が得られた。また、MOSFETを作製し移動度を評価したところ、チャネル移動度は従来と比較して2倍以上となった。本成果が実用化された場合、600-1200V級のSiC MOSFETで、オン抵抗が約2-3割低減されると見込まれる。これにより、SiC MOSFETの実用化が更に加速すると期待される。

現在までの達成度 (区分)
現在までの達成度 (区分)

1: 当初の計画以上に進展している

理由

長年問題であった界面準位の原因の一つが熱酸化であることを示し、それに基づいた新界面準位低減手法を提案した。本年度発明した新手法では、従来手法で作製したSiC MOSFETの移動度のおおよそ2倍の移動度であり、飛躍的な性能の向上に成功した。

今後の研究の推進方策

前年度に作製したMOSFETのボディ層ドーピング密度は、一般的に広く産業応用されているMOSFETが有するボディ層のドーピング密度と比較して低い。このため、ボディ層のドーピング密度がより高いMOSFETを作製し、その特性を評価する事は実用化の観点で非常に大事である。このため、本年度は様々なドーピング密度を有するMOSFETを作製し、その電気的特性を評価する。また、従来手法で作製されたトランジスタと比較し、高い性能を発揮できるかも調べる予定である。

  • 研究成果

    (10件)

すべて 2021 2020

すべて 雑誌論文 (4件) (うち査読あり 4件) 学会発表 (4件) (うち国際学会 1件、 招待講演 1件) 産業財産権 (2件)

  • [雑誌論文] Improvement of Both n- and p-Channel Mobilities in 4H-SiC MOSFETs by High-Temperature N? Annealing2021

    • 著者名/発表者名
      Tachiki Keita、Kimoto Tsunenobu
    • 雑誌名

      IEEE Transactions on Electron Devices

      巻: 68 ページ: 638~644

    • DOI

      10.1109/TED.2020.3040207

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Mobility improvement of 4H-SiC (0001) MOSFETs by a three-step process of H2 etching, SiO2 deposition, and interface nitridation2021

    • 著者名/発表者名
      Tachiki Keita、Kaneko Mitsuaki、Kimoto Tsunenobu
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 14 ページ: 031001~031001

    • DOI

      10.35848/1882-0786/abdcd9

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Short-Channel Effects in SiC MOSFETs Based on Analyses of Saturation Drain Current2021

    • 著者名/発表者名
      Tachiki Keita、Ono Takahisa、Kobayashi Takuma、Kimoto Tsunenobu
    • 雑誌名

      IEEE Transactions on Electron Devices

      巻: 68 ページ: 1382~1384

    • DOI

      10.1109/TED.2021.3053518

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Formation of high-quality SiC(0001)/SiO2 structures by excluding oxidation process with H2 etching before SiO2 deposition and high-temperature N2 annealing2020

    • 著者名/発表者名
      Tachiki Keita、Kaneko Mitsuaki、Kobayashi Takuma、Kimoto Tsunenobu
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 13 ページ: 121002~121002

    • DOI

      10.35848/1882-0786/abc6ed

    • 査読あり
  • [学会発表] Reduction in interface state density of SiC/SiO2 structure by H2 etching and N2 annealing2021

    • 著者名/発表者名
      K. Tachiki, M. Kaneko, T. Kobayashi, and T. Kimoto,
    • 学会等名
      International Symposium on Creation of Advanced Photonic and Electronic Devices 2021
    • 国際学会
  • [学会発表] 水素エッチングとSiO2堆積後の窒化処理を組み合わせた高品質4H-SiC/SiO2界面の形成2021

    • 著者名/発表者名
      立木 馨大, 金子 光顕, 小林 拓真, 木本 恒暢
    • 学会等名
      第68回 応用物理学会 春季学術講演会
    • 招待講演
  • [学会発表] H2エッチング、酸化膜堆積、N2アニールによる4H-SiC/SiO2界面の低減2020

    • 著者名/発表者名
      立木 馨大, 金子 光顕, 小林 拓真, 木本 恒暢
    • 学会等名
      応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第7回講演会
  • [学会発表] 酸化過程排除プロセスによる高品質4H-SiC/SiO2界面の形成2020

    • 著者名/発表者名
      立木 馨大, 金子 光顕, 小林 拓真, 木本 恒暢
    • 学会等名
      第81回 応用物理学会 秋季学術講演会
  • [産業財産権] SiC半導体素子の製造方法及びSiC MOSFET2020

    • 発明者名
      木本 恒暢, 立木 馨大
    • 権利者名
      木本 恒暢, 立木 馨大
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2020-210594
  • [産業財産権] SiC半導体素子の製造方法及びSiC半導体素子2020

    • 発明者名
      木本 恒暢, 小林 拓真, 立木 馨大
    • 権利者名
      木本 恒暢, 小林 拓真, 立木 馨大
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2020-098244

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公開日: 2021-12-27  

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