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p型の有機薄膜トランジスタ（OTFT）を対象とし、機械的負荷に起因する電気特性変動および電気的破壊を実験的に評価した。
機械的負荷が比較的小さな領域での電気特性変動評価では、曲げ負荷・面内引張り負荷・面外圧縮負荷による相互コンダクタンスの変化率がいずれも機械的応力に対して減少し、定量的には面外圧縮負荷、曲げ負荷、面内引張り負荷の順で大きくなることを明らかにした。機械的負荷が大きな領域での電気的破壊の評価では、機械的負荷がOTFT用ゲート絶縁層の絶縁性能へ及ぼす影響を実験的に評価した。その結果、ゲート絶縁層の絶縁性能変化（リーク特性）に基板材料の応力－ひずみ特性と相関があることを示した。
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