研究課題
基盤研究(C)
本研究では、固体高分子電解質を用いた環境調和型電気化学機械研磨について提唱し、ワイドギャップ半導体の高効率な研磨法を開発した。固体高分子電解質と砥粒を含有させたイオン伝導性パッドを用いることで、薬液を一切用いずに高効率に研磨が可能であることを見出した。本加工法により、従来研磨法の約10倍の加工速度を得ることができ、数分間の研磨によって表面粗さを50 nmから1 nm以下まで低減することが可能となった。
精密加工
研究では、固体高分子電解質を用いた環境調和型電気化学機械研磨（ECMP）について提唱し、ワイドギャップ半導体の高効率な研磨法を実現した．本加工法は、高い加工速度が得られるためウェハ表面のダメージを高速に除去し、表面粗さも短時間で低減することができる。そのため、従来技術に比べて加工時間を大幅に短縮できる。また、薬液を一切用いないことから、廃液処理のコストも低減でき、環境負荷の少ないウェハ製造技術として期待できる。
