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次世代パワー半導体により各種電力変換器の特性改善が望めるようになってきているが，パッシブデバイスの特性がボトルネックであり，現在の各種電力変換器は次世代パワー半導体の特長を必ずしも活かしきれていない．そこで本研究では，三相電圧形インバータに各種パルス幅変調方法を適用した場合のパッシブデバイスの損失を明らかにした．具体的には，三相電圧形インバータに適用するパルス幅変調法の違いにより，直流側電解コンデンサの損失は大きく変化しないこと，交流側インダクタや交流側ＬＣフィルタでの損失は三相変調法が小さいこと，変換器全体での損失はインバータ損失が小さくなる二相変調法が小さいこと，などを明らかにした．
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