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誘電体散乱波の光変調を利用した変調散乱手法において，変調光位置の走査で高周波電界分布を計測可能とした．マイクロストリップラインの面内電界分布を計測し，周波数10 GHzで-47 dBmの給電信号を検出可能な感度を達成した．散乱体形状や物性と感度や侵襲性との関係を数値計算で検討した結果，高感度および低侵襲性を得るためには，変調光強度の増加，光励起時の電子－正孔対の再結合寿命を大きくすること，および，散乱体厚を小さくすることが有効なことを見出した．また，提案手法の実用性を検証するため，電子機器動動作時に放射される電磁波の分布を測定し，回路基板上のLSIチップが不要輻射源であることを特定できた．
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