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本研究は、環境センサーや監視カメラなどの必要性からその重要性がさらに増している赤外線検出器の高性能化や低価格化につながる可能性のある、ナローギャップ半導体を汎用半導体基板上に結晶成長する基盤的研究を進めたものである。格子不整合系の結晶成長という学術的観点では、結晶性の評価に関して多方面からの解析を行うことにより従来法の指針では十分ではないことが明らかとなった。また、特殊な界面構造に着目し、それを用いた新しいバンドエンジニアリングによる受光デバイスの可能性を実証した。これらの研究成果の技術的・学術的価値は高く、近未来社会で社会実装されるデバイスの開発に貢献できると考えられる。
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