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本研究では、発光波長が環境温度に依存しない高輝度発光デバイスの実現を目指し、希土類元素ドープ酸化物半導体混晶薄膜の成長と希土類元素の励起機構の解明を目的とした。パルスレーザー堆積法を用いて、希土類元素Erのドープ量を一定とし、異なる組成を持つ酸化物半導体混晶薄膜の成長を行い、X線光電子分光法、フォトルミネッセンス法等により評価した結果、薄膜のバンドギャップを大きくすることにより、薄膜の発光効率が改善されることが分かった。また、希土類元素Tm、Er、Euドープ酸化物多層膜を作製し、得られた薄膜の結晶性と光学特性等を調べた。これらのデータを基に、演色性に優れた白色発光ダイオードの作製に成功した。
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