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中赤外波長帯は一酸化炭素、二酸化炭素、可燃性の炭化水素系ガス、NOx, SOxなどの環境ガスの吸収線があり、レーザガスセンシングに用いられる。また、光ファイバ通信、空間伝搬通信の波長域拡大としても注目されている。同じ結晶成長装置でGaAsとGeSnの一括成長を実現した。InAsおよびInAsSbの高品質化技術の検討を行い、平坦で転位の少ない良好な結晶性のInAsSbを実現し、室温で波長4ミクロン帯でのフォトルミネッセンス発光を実現した。また格子整合しないヘテロ構造の電流注入素子を作製し、室温で波長3ミクロン帯での明瞭な発光を確認した。中赤外波長帯シリコンフォトニクスの発展に有用と考えている。
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