| 研究課題/領域番号 |
19K04531
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
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| 研究機関 | 名古屋工業大学 |
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研究代表者 |
久保 俊晴 名古屋工業大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 (10422338)
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| 研究分担者 |
三好 実人 名古屋工業大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (30635199)
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| 研究期間 (年度) |
2019-04-01 – 2022-03-31
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| キーワード | グラフェン / FET / 金属凝集 / 電子ビーム露光 |
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| 研究成果の概要 |
グラフェンは2次元構造を有し、次世代電子デバイス用材料として期待されている材料であるが、絶縁基板上に均一に形成することが難しい。本研究では、触媒金属であるNiに対し電子ビームによる露光(EB)技術により極微細構造を形成することで、均一なグラフェンをNiパターンに沿って形成し、電界効果トランジスタ(FET)を作製する。本研究では、EB露光による5μm幅程度の微細パターン作製に成功した。作製したグラフェンFETのデバイス特性はNi金属パターンを用いて作製したFETとしては良好なものであり、今後の特性改善が期待できる。
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| 自由記述の分野 |
半導体デバイス、電子材料
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
本研究から、グラフェンを形成する触媒金属であるNiに対してEB露光により微細パターンを形成する方法を用いて、微細パターンに沿って結晶性の良いグラフェンを作製できることが明らかとなった。本研究ではサブミクロンの形状のものは作製できなかったが、今後微細化を進めていくことで、サブミクロン形状の良質なグラフェン膜を作製でき、制御されたグラフェンの電子物性を明らかにすることが可能であり、学術的意義は大きい。また、制御されたグラフェン膜を用いて高性能・低消費電力電子デバイスを生産することが可能であり、持続可能な社会の実現に貢献することができる。
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