本研究の目的は2つある。ひとつは、半導体InSbの薄膜を持つテラヘルツ(THz)帯での導波路型デバイス設計のための半陰的有限差分時間領域(FDTD)法を開発することである。もうひとつは、開発した半陰的FDTD法を用いてTHz表面プラズモン共鳴(SPR)センサ、および偏光子を解析・設計することである。 2、3次元の半陰的FDTD法を開発した。従来の陽的FDTD法と比較して、計算精度を維持しつつ計算時間をそれぞれおおよそ30、20%に低減できた。 偏光子の設計では、モードの干渉を利用せず、コアの両側面にInSb層を付加しプラズモンの励振によりTE波を減衰させて除去する新たなデバイスを提案した。
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