| 研究課題/領域番号 |
19K04540
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
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| 研究機関 | 大阪工業大学 |
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研究代表者 |
佐々 誠彦 大阪工業大学, 工学部, 教授 (50278561)
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| 研究分担者 |
小山 政俊 大阪工業大学, 工学部, 准教授 (30758636)
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| 研究期間 (年度) |
2019-04-01 – 2022-03-31
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| キーワード | テラヘルツ放射 / GaSb/InAsヘテロ接合 / フォトデンバー効果 / パルス光源 / terahertz radiation / GaSb/InAs / photo-Dember effect / pulse laser source |
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| 研究成果の概要 |
InAs薄膜をベースとしてフォトデンバー効果によるテラヘルツパルス光源の高強度化に向け、ヘテロ接合を利用し、電子の拡散速度増強を目指して研究を行った。GaSb/InAs ヘテロ構造で GaSb 層の厚さを検討し、厚さが薄くなる程、テラヘルツ波の放射強度が増加し、厚さ 5 nm の資料では InAs 薄膜試料に対する増強効果を確認した。さらに InGaSb/InAs 構造で、InGaSb 層での光吸収の効果と注入電子の過剰エネルギーの効果影響を調べ、過剰エネルギーが減少しても、光吸収が増加することで、InGaSb 5 nm の試料では、 GaSb/InAs を超える高強度化が達成できた。
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| 自由記述の分野 |
化合物半導体デバイス
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
テラヘルツ領域で動作する受発光素子の開発は、当該周波数領域の技術の開発、応用を見据え、非常に重要である。中でも、テラヘルツ時間領域分光法による文化財評価への応用は重要で、そのためには簡便に使用できるパルス光源の開発が重要である。本研究は、このテラヘルツパルス光源の開発に関わり、従来使用されている光伝導スイッチが、発光場所が微細な位置に限られ、精密な位置調整や電圧の印加が必要であったことに対し、電圧の印加が必要なく、試料表面全体が発光可能な素子となるため、扱いが容易であり、これからの本分光法の発展に重要である。
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