研究成果の概要 |
Bi-Sbトポロジカル絶縁体に金属状態発現条件を満たす転位を導入し、マイクロサンプルの電気伝導測定により顕著な伝導転位の効果を検出した。 また、Pb-(Bi,Sb)-Teトポロジカル絶縁体について、バルク絶縁性の高い結晶を用い、表面伝導の観測に成功した。表面状態の散乱機構についても明らかにした。金属状態発現条件を満たす転位を導入することにも成功した。 Pb-(Bi,Sb)-(Te,Se)トポロジカル絶縁体結晶については、Pb-(Bi,Sb)-Teを上回るバルク絶縁性は得られなかったが、局所的にバルク絶縁性の高い領域と低い領域が混在していることが明らかとなった。
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