研究課題
基盤研究(C)
非真空プロセスで成膜できる省エネルギーで低コストなミストCVD法により，酸化物では希少な閃亜鉛鉱型（立方ダイヤモンド）関連構造を有するCu3VO4薄膜の成膜に成功した．ホール効果測定より，ノンドープのCu3VO4薄膜のp型伝導を確認できた．光吸収スペクトルから見積もられるCu3VO4薄膜のバンドギャップは1.2 eVで単接合太陽電池の光吸収層として適した大きさであることを明らかにした．
無機材料
バンドギャップが太陽電池材料に適していない材料が多い酸化物半導体は，これまで太陽電池の光吸収層としてあまり利用されてこなかった．本研究課題では，Cu3VO4の電気的・光学的性質を明らかにし，Cu3VO4が太陽電池材料として有望な材料であることを明らかにした．本研究の成果によって化学的安定性の高い酸化半導体がワイドギャップな領域だけでなく可視・赤外領域でも有用であることを検証できたことは、学術的にも社会的にも大きな意義がある.
