本研究では、超高性能圧電MEMSアクチュエータの創出を目指し、巨大な圧電特性と高耐熱性とを両立する革新的な圧電薄膜の開発を行った。その材料の候補として、Sm添加マグネシウムニオブ酸鉛・チタン酸鉛(Sm-PMN-PT)の単結晶薄膜を検討した。スパッタ法によってSi基板上にバッファ層を介してSm-PMN-PTを堆積させた。その結果、理想的な結晶配向性と相からなる単結晶薄膜のエピタキシャル成長に成功した。また、この膜が、一般的なチタン酸ジルコン酸鉛多結晶薄膜を超える圧電性能を発揮する可能性があることを実証した。
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