| 研究実績の概要 |
今年度は, NbBiX3(X:S,Se)ミスフィット層状化合物単結晶の育成に関する論文が無事出版された. そして, 本単結晶育成手法を別のミスフィット層状化合物に用いたところ, BiをSnに変えたNbSnSe3ミスフィット層状化合物単結晶が育成できることを見出すとともに, Nb-Sn-Se系の新規化合物と思われる単結晶の育成が確認された. 現在, Nb-Sn-Se系の新規化合物の単結晶について育成条件の最適化を進めている. 走査トンネル分光の実験に関しては, 昨年度, 単結晶育成に成功したNbBiSe3およびNb2BiSe5相の原子像を観察することに成功し, 現在データの解析を進めている. 引き続き, 汎用性が高く実験を遂行する上で扱いやすい試料ホルダーおよび測定系の構築も進めている. 来年度は, Nb-Sn-Se系の新規化合物の単結晶について構造および電気的な物性をあきらかにし, 走査トンネル分光によって表面物性等についても調べたいと考えている.
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| 現在までの達成度 (区分) |
現在までの達成度 (区分)
2: おおむね順調に進展している
理由
Nb-Sn-Se系ミスフィット層状化合物単結晶の育成に成功するとともに, 新規化合物の単結晶が得られることもあきらかとなった. また, 走査トンネル分光の実験については, 昨年度得られた単結晶の原子像を得ることができた. 以上の状況から, 本研究計画としては, 「(2)おおむね順調に進展している」とした.
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