| 研究課題/領域番号 |
19K05269
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
小区分29020:薄膜および表面界面物性関連
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
豊田 智史 東北大学, 未来科学技術共同研究センター, 准教授 (20529656)
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| 研究期間 (年度) |
2019-04-01 – 2022-03-31
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| キーワード | シリコン半導体 / 金薄膜 / 表面・界面反応 / 光電子分光 / 深さ方向解析 / 最大エントロピー法 / 正則化法 / オペランド計測 |
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| 研究成果の概要 |
本研究では、雰囲気制御X線光電子分光を用いたAu薄膜/Si基板における界面反応の動態計測をモデル系として行うことにより、気相-固相-液相の相界面反応メカニズムを解析するための基盤技術を開発した。Au薄膜固体からAu-Si共晶化に伴う溶融状態への相転移における前駆状態での緩やかなフェルミ端シフトの重要性を明らかにするとともに、将来的な時空間計測ビッグデータ解析に必要となるソフトウェア技術を構築した。
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| 自由記述の分野 |
半導体、分光物性、表面界面
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
本研究で開発を行なった気相-固相-液相の相界面反応メカニズムを解析するための基盤技術は、反応ダイナミクスを伴う未解明な相転移機構の理解や材料機能制御のために応用でき、理学および工学の分野での新たな知見を与える手法になることが期待できる。さらに、時空間計測ビッグデータ解析ソフトウェア技術はラボの分析装置等と組み合わせることで、近年戦略物質として注目を集める半導体デバイスの高度化のための材料プロセス開発等に資すると考えられる。
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