ダイヤモンド半導体結晶の非輻射型欠陥生成メカニズム解明によるデバイス特性の改善

2022 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 19K05293
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分30010:結晶工学関連
• 研究機関: 大阪大学
• 研究代表者: 毎田 修 大阪大学, 大学院工学研究科, 助教 (40346177)
• 研究期間 (年度): 2019-04-01 – 2023-03-31
• キーワード: ダイヤモンド / 結晶欠陥 / ワイドギャップ

研究成果の概要

次世代半導体用材料として期待されるダイヤモンド半導体結晶の高品質化を達成することはダイヤモンドデバイスにとって技術的に重要な課題である。ダイヤモンド膜の結晶品質の向上のためにはいまだ明らかになっていない非輻射欠陥を解明することが必要不可欠であり、本研究では、過渡光容量法による非発光欠陥の評価システムを構築し、ボロンドープダイヤモンド膜の特性評価を行った。

自由記述の分野

半導体物性

研究成果の学術的意義や社会的意義

次世代の半導体材料として期待されるダイヤモンド半導体結晶を含めたワイドバンドギャップ半導体材料の深い非輻射欠陥評価はこれまで積極的に行われておらず、その詳細はいまだ解明されていない。本研究は過渡光容量分光法を用いた非輻射欠陥評価系を構築し、ダイヤモンド半導体結晶の非輻射欠陥評価を行った。さらにその生成要因を解明し、結果を結晶合成にフィードバックすることで結晶品質の改善を図った。