赤外光を透過し,アルカリ水溶液で異方性エッチング加工が可能なシリコン(Si)を基板として使用し,サブ波長周期の格子構造の形成を試みた.Si格子の形成において,マスクとなるSi酸化膜の形成条件,およびフッ化水素酸水溶液によるエッチング条件,水酸化カリウム水溶液によるSiのエッチング条件,さらには偏光子の作製で必要なアルミニウム(Al)を成膜した結果,周期1μm、Al膜厚195nmの格子構造を形成することができた。結果として、波長10μmにおいて、格子に対して垂直は偏光の透過率は48%、そして22dBの消光比を有する赤外用ワイヤグリッド偏光子を作製することができた.
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