研究課題
基盤研究(C)
半導体製造で用いられるリソグラフィ技術に電離放射線が用いられるようになり、使用されるレジスト材料の高性能化が求められている。加工材料である化学増幅型レジストに添加するだけで極端紫外線(EUV)や電子線に対する感度を大幅に向上することのできる酸生成促進剤の添加効果および脱プロトン反応性を増加させる等の感度向上のメカニズム、さらに化学増幅型レジスト中に含まれる構成分子に関して研究を実施し、酸生成促進剤の添加の有効性ならびに放射線誘起反応について明らかにした。
放射線化学・工学
現在半導体製造で使われているレジスト材料の性能の向上のために、現行のレジストに添加するだけで脱プロトン反応性等の向上効果のある酸生成促進剤の有効性を示すとともに、その機能の解明を行った。酸生成促進剤の化学構造が、電子または正電荷を受容した後も室温下でも安定に存在でき、酸生成の促進に寄与できることが明らかになった。また、本成果により今後の半導体製造の生産性の向上に繋がることが期待される。
