Si系負極の性能向上あるいは劣化のメカニズムを種々の分析法により徹底的に調べた.早期に劣化したSi電極では膨張率の大きなLi-Si合金相がSi層に不均質に分布していたのに対して,良好な性能を示したP-doped Si電極ではSi層中のLi濃度分布が均質であった.Liの分布が不均質だと大きなひずみが局所に蓄積され電極崩壊が起こり乏しい性能しか得られなかったと考えられる.上記の結果は本研究において独自に考案したSiに特化した解析法に基づいて得られた.また,シリサイド電極および金属ケイ化物/Siコンポジット電極の反応挙動を解明し,得られた知見に基づいて材料創製を行い良好な性能を得ることに成功した.
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