| 研究課題/領域番号 |
19K12854
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
小区分90130:医用システム関連
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| 研究機関 | 八戸工業高等専門学校 |
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研究代表者 |
中村 嘉孝 八戸工業高等専門学校, その他部局等, 教授 (00290685)
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| 研究分担者 |
鎌田 貴晴 八戸工業高等専門学校, その他部局等, 助教 (50435400)
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| 研究期間 (年度) |
2019-04-01 – 2024-03-31
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| キーワード | 二次元材料 / ファンデアワールス接合 / 結晶成長 / 電気特性 / ガスセンサー |
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| 研究成果の概要 |
人の皮膚からは、様々なガス（皮膚ガス）が放出されており、含まれているガスの種類により病気の予兆、診断を行えるとされ研究が行われている。例えば、糖尿病になるとアセトン濃度が高まる。そこで、ガス検出感度が高い、グラフェン、六方晶窒化ホウ素、そして、遷移金属ダイカルコゲナイドの結晶成長技術を開発した。また、様々な二次元材料を積み重ねたり、回転させて重ねたファンデアワールスヘテロ接合デバイスの開発を行った。そして、これらセンサーによる自動計測システムの構築と計測プログラムを開発した。そして、ファンデアワールスヘテロデバイスの電気特性を評価した。
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| 自由記述の分野 |
電気電子材料
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
グラフェンや二流化モリブデンなどの二次元材料をデバイスに応用する場合、下地基板からの影響を少なくする必要がある。最適な下地材料として、六方晶窒化ホウ素(h-BN)が注目されているが、高品質のものを得る事は困難であった。本研究では、Si基板上に直接、触媒金属なしでh-BNを成長させる事に成功し、更に、CVD h-BN/Si基板の上に、スパッタ法によりh-BNをホモ成長させる事に成功し、ラマンピークの半値全幅が9.9°と非常に高品質のh-BNを合成できた事は、学術的にも社会的にも意義のある成果を得る事ができた。
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