二年目の開始に際して研究代表者の所属変更が伴ったこと、年度初期から続いたロックダウンの影響により研究環境が変化したことから、現所属の研究環境において電気抵抗測定、核磁気共鳴測定などについての機材を購入し、物性測定のための環境整備を優先した。 一年目は分子性超伝導体EtMe3P[Pd(dmit)2]2の単結晶薄片を対象とし、一軸歪みを与えることで静水圧の印加と同様の非磁性絶縁相から超伝導相までのコントロールを実現したことを報告した。二年目はそこから発展し、ねじを使用した簡素な治具によって二方向の歪みを与えて物性測定を行うことで、歪みの方向と非磁性相、超伝導相の安定性の関係を探った。結果として、試料差が大きいことから体系的な議論に至っていないものの、いくつかの試料で非磁性相への転移に伴う絶縁化が生じやすい歪みの方向があることが確認でき、もともとの非磁性転移に伴う格子変調の方向と比較して議論することができた。 また、新たに対象物質として、結晶内に二つの異なる電子層を持つバイレイヤ型分子性導体である(ETTM-STF)2BF4を選定し、電気抵抗、静磁化率、ESR、NMRを通じて物性を明らかにした。結果、当該物質は静水圧下で超伝導相を示し、常圧下で上記EtMe3P[Pd(dmit)2]2のように、非磁性状態が超伝導相の近傍に実現していることがわかった。これは非従来的な超伝導相が発現している可能性を示唆する。多くの場合で非磁性相の発現に結晶格子の歪みが伴うことが知られ、EtMe3P[Pd(dmit)2]2と同様に歪みの制御によって非磁性相と超伝導相の機構を議論できると考えられる。以上のように今後の研究の更なる発展として、バイレイヤ型分子性超伝導体を用いて、物性の機構探索を行うことへの道筋を立てた。この結果は日本物理学会第76回年次大会で発表したほか、現在投稿論文として執筆中である。
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