研究課題/領域番号 |
19K14739
|
研究機関 | 京都大学 |
研究代表者 |
木河 達也 京都大学, 理学研究科, 助教 (60823408)
|
研究期間 (年度) |
2019-04-01 – 2021-03-31
|
キーワード | ニュートリノ検出器 / Silicon-On-Insulator |
研究実績の概要 |
当該年度は企業や高エネルギー加速器研究機構のSOI検出器の専門家と議論を重ね、本研究におけるセンサー開発の方針を決定し、新センサーの概念設計を行った。 研究開始当初はSOI検出器のセンサー部に高電圧を印加し、ノーマルモードのAPDとして動作させ、微弱な光の信号を増幅することを検討していた。 しかし、議論の結果、より高い増幅の得られるガイガーモードのAPDとして動作させるためのセンサーの開発を主として行うことにした。 試験用のセンサーを製作するために、当該年度のSOI Pixel MPWランにサブミットしていたが、同ランはサブミット数が不十分で延期となった。
|
現在までの達成度 (区分) |
現在までの達成度 (区分)
3: やや遅れている
理由
基本的な概念設計や開発の方針は定まったものの、当該年度のSOI Pixel MPWランでの試験用のセンサーを製作が延期になったことにより、センサーの試験などが進めることができていない。
|
今後の研究の推進方策 |
次年度の初頭に予定されているSOI Pixel MPWランにおいて試験用のセンサーを製作し、ガイガーモードのAPDとして動作させたSOI検出器の基本動作を理解し、シンチレーション光の検出を試みる。十分な性能が得られなければ、リング状の電極で収集効率を高めるなど、別の方法による信号量の増大を試みる。十分な性能が得られれば、詳細な測定結果を元に次期プロトタイプ検出器を設計し、年度後半に製作、試験をする。
|
次年度使用額が生じた理由 |
当該年度に計画されていたSOI Pixel MPWランが延期になったことにより、センサーの製作のための費用が使用されていない。 次年度にセンサーを2回に分けて製作する予定であり、その際に、この分の費用を使用する。
|