研究課題
若手研究
本研究はAIハードウェアを構成するハフニア系強誘電体トランジスタの特性改善を目指してプロセス設計と動作機構の解明に成功した。強誘電体トランジスタの作製プロセスにおけるトレードオフを克服し、優れた入出力特性とメモリ特性をもつ強誘電体トランジスタの作製工程を確立した。また、強誘電体トランジスタを評価する新規の測定手法を提案して、内部で起こる物理現象と動作メカニズムを解明することで、用途に応じたデバイスの設計指針を確立した。
電子デバイス
本研究で達成した強誘電体トランジスターの動作機構の解明と設計指針の確立により、強誘電体材料分野、固体物理分野、電子デバイス分野、およびAI分野をはじめとする幅広い研究分野に有意義な知見を得た。次世代メモリや次世代AIハードウェアとして世界中の企業等が検討し始めて期待されているこの材料・デバイスの基礎研究を行い、技術の基盤を作ったことで、技術の実用化と早期普及につながると期待される。
