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鉄系超伝導体（ドープしたBaFe2As2）について、中性子線照射により人工欠陥を導入し、臨界電流密度（Jc）に及ぼす影響を調べた。照射前後でJcが最大化する化学組成が異なることを明らかにするとともに、照射後の試料でJcが臨界温度（Tc）の2.25乗に比例する関係を見出した。これはJcが対破壊電流密度（Jd）に比例することを示唆し、Jc測定からJdの情報が抽出できることを示した。
また、CaKFe4As4について走査型透過電子顕微鏡を用いた微細構造観察を実施し、CaFe2As2およびKFe2As2のインターグロースを見出し、これらが有効な磁束ピン止め中心となり高いJcに関連していることを示した。
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