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有機トランジスタの性能を劣化させる結晶粒界を可視化する既存の技術は、真空中で電子線を使う手法や、走査型プローブ顕微鏡を利用したものがあり、測定に時間がかかる問題があった。本研究で開発した手法は、有機分子のダメージが少ない光によって大気圧化で簡便に評価することができる。さらに、シリコン基板上で評価ができるので、有機トランジスタの作成プロセス中に薄膜の評価ができる特徴がある。本手法は、有機薄膜に限らず、無機材料にでも適応できる手法であり、厚さ数nmの極薄膜を可視化する手法として、広く応用することが可能である。
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