研究課題
若手研究
バルクでは観測されない表面/界面で生じるキャリア散乱の変調を理解するため，計算によるナノワイヤやナノシートのキャリア輸送再現と，実験との比較を行った．分子動力学法と量子輸送計算の組み合わせによるキャリア輸送の計算から，電子フォノン散乱の効果を低い計算負荷で考慮することに成功した．そして，実験的な半導体ナノワイヤや金属ナノシートに近いスケールのキャリア輸送の再現に成功し，キャリア散乱の変調を解析した．
電子デバイス
本研究で得られた表面/界面におけるキャリア散乱の理解は，今後の集積回路内のトランジスタや配線の設計・材料選択において，表面/界面のエンジニアリングによる電気特性の制御を実現するために重要である．また，本研究で実施した計算手法は低い計算負荷で現実的なキャリア輸送を再現できることから，集積回路に限らず様々なデバイスの特性を予測し，材料の最適化を行う際に適用可能である．
