| 研究課題/領域番号 |
19K15054
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| 研究種目 |
若手研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 審査区分 |
小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
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| 研究機関 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
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研究代表者 |
高 磊 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員 (40650429)
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| 研究期間 (年度) |
2019-04-01 – 2021-03-31
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| キーワード | SiN導波路 / 液体原料CVD / グラフェン / 非線形光学素子 / シリコンフォトニクス |
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| 研究成果の概要 |
バンドギャップが大きく，多光子非線形吸収の影響を受けにくいSiN導波路を用いることで，高効率かつ広帯域なコヒーレント光の生成を目指すと共に，液体原料によるSiN低温再成長技術を確立し，グラフェンと光伝搬モードの重なりを最大化するための検証を進めた．SiN成膜では，わずか100℃の低温環境において，高速成膜（>100 nm/min）かつ低損失（0.5 dB/cm）を達成し，埋込再成長や多層集積に適した手法を実現した．続いて，逆リブ構造のグラフェン埋込SiN導波路を設計し，非線形パルス伝搬シミュレーションや素子作製，基礎光学評価まで本年度中に終えた．
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| 自由記述の分野 |
光エレクトロニクス
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
光周波数コムは周波数軸上で規則正しく並んだ「光のものさし」であり，幅広い科学や産業分野に変革をもたらす重要な光技術である．長さの国家標準（特定標準器）が近年に光コム発生器をもって置き換えられたほか，光格子時計を利用した高精度な時刻標準の生成にも光周波数コム技術は欠かせず，今後身近な電子機器や通信技術へ波及する見込みである．一方で，既存の光コム装置は大型固体レーザもしくはファイバレーザが主流であり，消費電力，筐体サイズおよび作製コストなどの課題が山積している．本研究では，独創的な超高非線形導波路による高効率光コム発生源の基盤技術構築を目標とする．
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