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CMOS技術との高いプロセス親和性を有するシリコンフォトニクスは、低コストかつ大量に光集積チップを生産することができる。本研究では、数百ナノメートル四方オーダ内に強く光を閉じ込めることができるシリコン光導波路をチップ表面に物理湾曲させた垂直湾曲光結合デバイスを用い、溶媒内に混入させたターゲット(数ミクロン径粒子)の捕捉・操作を図った。高屈折率クラッド材料である窒化シリコンを用いることで、溶媒内に集光点もしくはコリメート光を発生できることを数値解析で明らかにするとともに、光集積チップの作製、および封止技術、観測技術を開発した。
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