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本研究では、ネットワークにおける通信速度・容量の増大と低消費電力、小型・低コスト化の要求を満たす光電子融合集積回路の実現を目指し、そのために必要不可欠な高温環境下においても良好な特性を有する光集積回路の開発を目標としており、実現できれば幅広い応用が期待できる。本研究では量子ドット構造の光素子に着目し、これまでに開発してきたInP基板上に量子ドット構造を有する複数の光素子を集積可能な独自技術であるIID-QDI技術を用いた半導体レーザを作製し、この半導体レーザが非常に良好な温度特性を有することを実証し、また温度特性向上の物理的要因の一端を解明することができた。
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