原子層物質と3次元固体接合の作製と界面構造の解明

2020 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 19K15393
• 研究種目: 若手研究
• 配分区分: 基金
• 審査区分: 小区分28030:ナノ材料科学関連
• 研究機関: 東京都立大学
• 研究代表者: LIM HONGEN 東京都立大学, 理学研究科, 特任助教 (20794861)
• 研究期間 (年度): 2019-04-01 – 2021-03-31
• キーワード: 化学気相成長法 / ファンデルワールス物質 / 遷移金属ダイカルコゲナイド / 遷移金属カルコゲナイド

研究成果の概要

ファンデルワールス物質と固体材料との界面構造への理解は、合成した結晶の構造や成長方向および位置の制御に向けた重要な手がかりとなる。本研究では、化学気相成長法を用いて、そのような接合構造の作製に取り組んできた。主要な成果として、（１）異なる種類の固体界面における遷移金属ダイカルコゲナイド原子層の合成と（２）遷移金属カルコゲナイド原子細線の多量かつ配向制御合成技術を世界に先駆けて確立に成功してきた。

自由記述の分野

ナノ材料科学

研究成果の学術的意義や社会的意義

基板の表面ではなく、異なる固体の界面を原子層物質の成長に利用する研究はこれまでなく、新たな原子層の合成やデバイス作製プロセスを可能にするインパクトの大きい研究になる。特に金属と基板の界面において原子層の直接合成が出来れば、電子デバイスへの応用に主要の問題となる接触界面が大幅に改善する可能性がある。原子細線に関しては、多量生成に成功したことで新たな量子現象や機能を持つ新奇材料の探索にも期待できる。新規ナノ材料成長技術のみではなく、物性の探索やデバイス応用まで幅広い研究分野へ影響する波及効果が期待できる。